摘要：紅外探測(cè)器的發(fā)展基礎(chǔ)是物理學(xué)和技術(shù)科學(xué)的進(jìn)展。HgCdTe FPA和非制冷焦平面陣列 ，裝備和廣闊的民用市場(chǎng)需求推動(dòng)探測(cè)器技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。
1　前言
所有物體均發(fā)射與其溫度和特性相關(guān)的熱輻射，環(huán)境溫度附近物體的熱輻射大多位于紅外波段。紅外輻射占據(jù)相當(dāng)寬的電磁波段(0.8μm～1000μm)。可知，紅外輻射提供了客觀世界的豐富信息，充分利用這些信息是人們追求的目標(biāo)。將不可見(jiàn)的紅外輻射轉(zhuǎn)換成可測(cè)量的信號(hào)的器件就是紅外探測(cè)器。探測(cè)器作為紅外整機(jī)系統(tǒng)的核心關(guān)鍵部件，探測(cè)、識(shí)別和分析紅外信息并加以控制。熱成像是紅外技術(shù)的一個(gè)重要方面，得到了廣泛應(yīng)用，首要的當(dāng)屬應(yīng)用。反之，由于應(yīng)用的驅(qū)使，紅外探測(cè)器的研究、開(kāi)發(fā)乃至生產(chǎn)，越來(lái)越受重視而得以長(zhǎng)足發(fā)展。1800年Herschel發(fā)現(xiàn)太陽(yáng)光譜中的紅外線用的涂黑水銀溫度計(jì)為*早的紅外探測(cè)器，此后，尤其是二次大戰(zhàn)以來(lái)，不斷出現(xiàn)新器件?，F(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的進(jìn)展提供紅外探測(cè)器研制的廣闊天地，高性能新型探測(cè)器層出不窮。今天的探測(cè)器制備已成為涉及物理、材料等基礎(chǔ)科學(xué)和光、機(jī)、微電子和計(jì)算機(jī)等多領(lǐng)域的綜合科學(xué)技術(shù)。
2　物理學(xué)的進(jìn)展是紅外探測(cè)器的基礎(chǔ) 　
紅外輻射與物質(zhì)(材料)相互作用產(chǎn)生各種效應(yīng)。100多年來(lái)，從經(jīng)典物理到20世紀(jì)開(kāi)創(chuàng)的近代物理，特別是量子力學(xué)、半導(dǎo)體物理等學(xué)科的創(chuàng)立，到現(xiàn)代的介觀物理、低維結(jié)構(gòu)物理等等，有許多而且越來(lái)越多可用于紅外探測(cè)的物理現(xiàn)象和效應(yīng)。 　　
2.1　熱探測(cè)器 
熱輻射引起材料溫度變化產(chǎn)生可度量的輸出。有多種熱效應(yīng)可用于紅外探測(cè)器。
(1)熱脹冷縮效應(yīng)的液態(tài)的水銀溫度計(jì)、氣態(tài)的高萊池(Golay cell);
(2)溫差電(Seebeck)效應(yīng)。可做成熱電偶和熱電堆，主要用于測(cè)量?jī)x器。 
(3)共振頻率對(duì)溫度的敏感可制作石英共振器非致冷紅外成像陣列。 
(4)材料的電阻或介電常數(shù)的熱敏效應(yīng)--輻射引起溫升改變材料電阻用以探測(cè)熱輻射-測(cè)輻射熱計(jì)(Bolometer)：半導(dǎo)體有高的溫度系數(shù)而應(yīng)用*多，常稱"熱敏電阻"。利用轉(zhuǎn)變溫度附近電阻巨變的超導(dǎo)探測(cè)器引起重視。如果室溫度超導(dǎo)成為現(xiàn)實(shí)，將是21世紀(jì)*引人注目的探測(cè)器。
(5)熱釋電效應(yīng)：快速溫度變化使晶體自發(fā)極化強(qiáng)度改變，表面電荷發(fā)生變化，可作成熱釋電探測(cè)器。 
熱探測(cè)器一般不需致冷(超導(dǎo)除外)而易于使用、維護(hù)，可靠性好；光譜響應(yīng)與波長(zhǎng)無(wú)關(guān)，為無(wú)選擇性探測(cè)器；制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)易，成本較低。但靈敏度低，響應(yīng)速度慢。熱探測(cè)器性能限制的主要因素是熱絕緣的設(shè)計(jì)問(wèn)題。 　　
2.2　光電探測(cè)器 
紅外輻射光子在半導(dǎo)體材料中激發(fā)非平衡載流子(電子或空穴)，引起電學(xué)性能變化。因?yàn)檩d流子不逸出體外，所以稱內(nèi)光電效應(yīng)。量子光電效應(yīng)靈敏度高，響應(yīng)速度比熱探測(cè)器快得多，是選擇性探測(cè)器。為了達(dá)到*佳性能，一般都需要在低溫下工作。光電探測(cè)器可分為：
(1)光導(dǎo)型：又稱光敏電阻。入射光子激發(fā)均勻半導(dǎo)體中的價(jià)帶電子越過(guò)禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶并在價(jià)帶留下空穴，引起電導(dǎo)增加，為本征光電導(dǎo)。從禁帶中的雜質(zhì)能級(jí)也可激發(fā)光生載流子進(jìn)入導(dǎo)帶或價(jià)帶，為雜質(zhì)光電導(dǎo)。截止波長(zhǎng)由雜質(zhì)電離能決定。量子效率低于本征光導(dǎo)，而且要求更低的工作溫度。 
(2)光伏型：主要是p－n結(jié)的光生伏特效應(yīng)。能量大于禁帶寬度的紅外光子在結(jié)區(qū)及其附近激發(fā)電子空穴對(duì)。存在的結(jié)電場(chǎng)使空穴進(jìn)入p區(qū)，電子進(jìn)入n區(qū)，兩部分出現(xiàn)電位差。外電路就有電壓或電流信號(hào)。與光導(dǎo)探測(cè)器比較，光伏探測(cè)器背影限探測(cè)率大于40％；不需要外加偏置電場(chǎng)和負(fù)載電阻，不消耗功率，有高的阻抗。這些特性給制備和使用焦平面陣列帶來(lái)很大好處。
(3)光發(fā)射－Schottky勢(shì)壘探測(cè)器：金屬和半導(dǎo)體接觸，典型的有PtSi/Si結(jié)構(gòu)，形成Schott ky勢(shì)壘，紅外光子透過(guò)Si層為PtSi吸收，電子獲得能量躍上Fermi能級(jí)，留下空穴越過(guò)勢(shì)壘進(jìn)入Si襯底，PtSi層的電子被收集，完成紅外探測(cè)。充分利用Si集成技術(shù)，便于制作，具有成本低、均勻性好等優(yōu)勢(shì)，可做成大規(guī)模(1024×1024甚至更大)焦平面陣列來(lái)彌補(bǔ)量子效率低的缺陷。有嚴(yán)格的低溫要求。用這類探測(cè)器，國(guó)內(nèi)外已生產(chǎn)出具有像質(zhì)良好的熱像儀。Pt Si/Si結(jié)構(gòu)FPA是*早制成的IRFPA。 
(4)量子阱探測(cè)器(QWIP)：將兩種半導(dǎo)體材料A和B用人工方法薄層交替生長(zhǎng)形成超晶格，在其界面，能帶有突變。電子和空穴被限制在低勢(shì)能阱A層內(nèi)，能量量子化，稱為量子阱。利用量子阱中能級(jí)電子躍遷原理可以做紅外探測(cè)器。90年代以來(lái)發(fā)展很快，已有512×512、64 0×480規(guī)模的QWIP GaAs/AlGaAs焦平面制成相應(yīng)的熱像儀誕生。因?yàn)槿肷漭椛渲兄挥写怪庇诔Ц裆L(zhǎng)面的電極化矢量起作用，光子利用率低；量子阱中基態(tài)電子濃度受摻雜限制，量子效率不高；響應(yīng)光譜區(qū)窄；低溫要求苛刻。人們正深入研究努力加以改進(jìn)，可望與碲鎘汞探測(cè)器一爭(zhēng)高低。 
3　新技術(shù)飛速發(fā)展促進(jìn)紅外探測(cè)器更新?lián)Q代
60年代以前多為單元探測(cè)器掃描成像，但靈敏度低，二維掃描系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜笨重。增加探測(cè)元，例如有N元組成的探測(cè)器，靈敏度增加N1/2倍，一個(gè)M×N陣列，靈敏度增長(zhǎng)(M×N)1/2倍。元數(shù)增加還將簡(jiǎn)化光機(jī)掃描機(jī)構(gòu)，大規(guī)模凝視焦平面陣列，不再需要光機(jī)掃描，大大簡(jiǎn)化整機(jī)系統(tǒng)。現(xiàn)代探測(cè)器技術(shù)進(jìn)入**、第三代，重要標(biāo)志之一就是元數(shù)大大增加。另一方面是開(kāi)發(fā)同時(shí)覆蓋兩個(gè)波段以上的雙色和多光譜探測(cè)器。所有進(jìn)展都離不開(kāi)新技術(shù)特別是半導(dǎo)體技術(shù)的開(kāi)發(fā)和進(jìn)步。幾項(xiàng)具有里程碑意義的技術(shù)有： 
(1)半導(dǎo)體精密光刻技術(shù) 
使探測(cè)器技術(shù)由單元向多元線列探測(cè)器迅速發(fā)展，即后來(lái)稱為**代探測(cè)器。
(2)Si集成電路技術(shù) 
Si讀出電路與光敏元大面陣耦合，誕生了所謂**代的大規(guī)模紅外焦平面陣列探測(cè)器 。更進(jìn)一步有Z平面和靈巧型智能探測(cè)器等新品種。此項(xiàng)技術(shù)還誘導(dǎo)產(chǎn)生非制冷焦平面陣列 ，使一度冷落的熱探測(cè)器重現(xiàn)勃勃生機(jī)。
(3)先進(jìn)的薄層材料生長(zhǎng)技術(shù) 
分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積和液相外延等技術(shù)可重復(fù)、精密控制生長(zhǎng)大面積高度均勻材料，使制備大規(guī)模紅外焦平面陣列成為可能。也是量子阱探測(cè)器出現(xiàn)的前提。 
(4)微型制冷技術(shù) 
高性能探測(cè)器低溫要求驅(qū)動(dòng)微型制冷機(jī)的開(kāi)發(fā)，制冷技術(shù)又促進(jìn)了探測(cè)器的研制和應(yīng)用。
我國(guó)紅外探測(cè)器研制從1958年開(kāi)始，至今已40多年。先后研制過(guò)PbS、PbSe、Ge:Au、Ge:Hg 、InSb、PbSnTe、HgCdTe、PtSi/Si、GaAs/AlGaAs量子阱和熱釋電探測(cè)器等。 隨著低維材料出現(xiàn)，納米電子學(xué)、光電一體化等技術(shù)日新月異，21世紀(jì)紅外探測(cè)器必有** 性的進(jìn)展。物理學(xué)及材料科學(xué)是現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展的主要基礎(chǔ)，現(xiàn)代技術(shù)飛速發(fā)展對(duì)物理學(xué)研究 又有巨大的反作用。
4　高性能紅外探測(cè)器-碲鎘汞探測(cè)器 
1959年，英國(guó)Lawson等首先制成可變帶隙Hg1－xCdxTe固溶體合金，提供了紅外探測(cè)器設(shè)計(jì)**的自由度。碲鎘汞有三大優(yōu)勢(shì)：1）本征激發(fā)、高的吸收系數(shù)和高的量子效率(可超過(guò)80％)且有高的探測(cè)率；2）其*吸引人的特性是改變Hg、Cd配比調(diào)節(jié)響應(yīng)波段，可以工作在各個(gè)紅外光譜區(qū)段并獲得*佳性能。而且晶格參數(shù)幾乎恒定不變，對(duì)制備復(fù)合禁帶異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)新器件特別重要，3）同樣的響應(yīng)波段，工作溫度較高，可工作的溫度范圍也較寬。碲鎘汞中，弱Hg－Te鍵(比Cd－Te鍵弱約30％)，可通過(guò)熱處理或特定途徑形成P或N型，并可完成轉(zhuǎn)型。其電學(xué)性質(zhì)如1載流子濃度低，2少數(shù)載流子壽命長(zhǎng)，3電子空穴有效質(zhì)量比大(～10.0），電子遷移率高，4介電常數(shù)小等有利于探測(cè)器性能。
**代碲鎘汞探測(cè)器主要是多元光導(dǎo)型，美國(guó)采用60、120和180元光導(dǎo)探測(cè)器作為熱像儀通用組件，英國(guó)則以70年代中期開(kāi)發(fā)的SPRITE為通用組件。SPRITE是一種三電極光導(dǎo)器件，利用半導(dǎo)體中非平衡載流子掃出效應(yīng)，當(dāng)光點(diǎn)掃描速度與載流子雙極漂移速度匹配，使探測(cè)器在完成輻射探測(cè)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的時(shí)間延遲積分功能。8條SPRIET的性能可相當(dāng)100元以上的多元探測(cè)器。結(jié)構(gòu)、制備工藝和后續(xù)電子學(xué)大大簡(jiǎn)化。現(xiàn)有技術(shù)又克服了高光機(jī)掃描速度和空間分辨率受限制等兩個(gè)缺陷。1992年誕生了**臺(tái)國(guó)產(chǎn)化通用組件高性能熱像儀，SPRITE探測(cè)器研制成功是關(guān)鍵。到90年代初，**代碲鎘汞光導(dǎo)探測(cè)器紛紛完成技術(shù)鑒定，性能達(dá)到世界先進(jìn)水平。兵器工業(yè)211所的SPRITE、32和60元探測(cè)器已實(shí)用化并投入批量生產(chǎn)，規(guī)模和市場(chǎng)不斷擴(kuò)大。國(guó)外在80年代就已大批量生產(chǎn)。
由于電極、杜瓦瓶設(shè)計(jì)和制冷機(jī)方面的重重困難，**代碲鎘汞探測(cè)器元數(shù)一般無(wú)法超過(guò)200。大的碲鎘汞光敏陣列和Si讀出集成電路分別制備并*佳化，然后兩者進(jìn)行電學(xué)耦合和機(jī)械聯(lián)結(jié)形成混合式焦平面陣列，就是**代碲鎘汞探測(cè)器。目前國(guó)際上已研制出256×256甚至640×480規(guī)模的長(zhǎng)波IRFPA。中波紅外已有用于天文的1024×1024的規(guī)模，現(xiàn)階段典型產(chǎn)品是法國(guó)的4N系列288×4掃描式FPA。國(guó)內(nèi)仍處于研制開(kāi)發(fā)階段。
晶體碲鎘汞材料也有鮮明的弱勢(shì)：1相圖液線和固線分離大，分凝引起徑向、縱向組分不均勻；2**g壓使大直徑晶體生長(zhǎng)困難，晶格結(jié)構(gòu)完整性差；3重復(fù)生產(chǎn)成品率低。薄膜材料的困難在于難以獲得理想的CdZnTe襯底材料。人們致力于研究替代襯底，如PACE(Producible Alternative to CdTe for Epitaxy )－ I ( HgCdTe / CdTe/ 寶石)，PACE－II(HgCdTe/C dTe/GaAs)和PACE－III(HgCdTe/CdTe/Si)。日本和法國(guó)還報(bào)道Ge襯底，目標(biāo)是與MCT的晶格 匹配并有利于與Si讀出線路的耦合。 
上等碲鎘汞材料制備困難、均勻性差、器件工藝特殊，成品率低，因而成本高一直是困擾碲鎘汞IRFPA的主要障礙。人們始終沒(méi)有放棄尋找材料的努力，但迄今還沒(méi)有一種新材料能超過(guò)碲鎘汞的基本優(yōu)點(diǎn)。為滿足應(yīng)用更高的性能要求，碲鎘汞FPA仍然是優(yōu)選探測(cè)器。 
5　非致冷焦平面陣列 (UFPA)紅外探測(cè)器　
非制冷焦平面陣列省去了昂貴的低溫制冷系統(tǒng)和復(fù)雜的掃描裝置，敏感器件以熱探測(cè)器為主。突破了歷來(lái)熱像儀成本高昂的障礙，"使傳感器領(lǐng)域發(fā)生變革"。另外，它的可靠性也大大提高、維護(hù)簡(jiǎn)單、工作壽命延長(zhǎng)，因?yàn)榈蜏刂评湎到y(tǒng)和復(fù)雜掃描裝置常常是紅外系統(tǒng)的故障源。非致冷探測(cè)器的靈敏度(D）比低溫碲鎘汞要小1個(gè)量級(jí)以上，但是以大的焦平面陣列來(lái)彌補(bǔ)，便可和**代MCT探測(cè)器爭(zhēng)雄。對(duì)許多應(yīng)用，特別是監(jiān)視與夜視而言已經(jīng)足夠。廣闊的準(zhǔn)和民用市場(chǎng)更是它施展拳腳的領(lǐng)域。為避免大量投資，把硅集成電路工藝引入低成本、非制冷紅外探測(cè)器開(kāi)發(fā)生產(chǎn)，制造大型高密度陣列和推進(jìn)系統(tǒng)集成化的信號(hào)處理，即大規(guī)模焦平面陣列技術(shù)，潛力十分巨大。正因?yàn)槿绱?，單元性能較低的熱電探測(cè)器又重新引人注目，而且可能成為21世紀(jì)*具競(jìng)爭(zhēng)力的探測(cè)器之一。目前發(fā)展*快、前景看好的有兩類UFPA： 
（1）熱釋電FPA。熱釋電探測(cè)器的研究早在60年代和70年代就頗為盛行，有過(guò)多種材料，較新型的有鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷和鈦酸鈧鉛(PST)等。美國(guó)TI公司推出的328×240鈦酸鍶鋇(BST)FPA已形成產(chǎn)品，NETD優(yōu)于0.1K，有多種應(yīng)用。計(jì)劃中還有640×480的FPA，發(fā)展趨勢(shì)是將鐵電材料薄膜淀積于硅片上，制成單片式熱釋電焦平面，有很高的潛在性能，可望實(shí)現(xiàn)1000×1000陣列的上等成像。 
(2)微測(cè)輻射熱計(jì)(Microbolometer)。它是在IC－CMOS硅片上以淀積技術(shù)，用Si3N4支撐有高電阻溫度系數(shù)和高電阻率的熱敏電阻材料VOx或α－Si，做成微橋結(jié)構(gòu)器件(單片式FPA)。接收熱輻射引起溫度變化而改變阻值，直流耦合無(wú)須斬波器，僅需一半導(dǎo)體制冷器保持其穩(wěn)定的工作溫度。90年代初，由Honeywell公司首先開(kāi)發(fā)，研制成工作在8μm～14μm的320×240 UFPA，并以此制成實(shí)用的熱像系統(tǒng)，NETD已達(dá)到0.1K以下，可望在近期達(dá)到0.02K。此類FPA90年代發(fā)展神速，成為熱點(diǎn)。與熱釋電UFPA比較，微測(cè)輻射熱計(jì)采用硅集成工藝，制造成本低廉；有好的線性響應(yīng)和高的動(dòng)態(tài)范圍；像元間好的絕緣而有低的串音和圖像模糊；低的1/f噪聲；以及高的幀速和潛在高靈敏度(理論NETD可達(dá)0.01K)。其偏置功率受耗散功率限制和大的噪聲帶寬不足以與熱釋電相比。
6　紅外探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展 
歷史上，紅外探測(cè)器的發(fā)展得益于戰(zhàn)爭(zhēng)尤其是二次大戰(zhàn)的刺激。隨后的冷戰(zhàn)時(shí)期，到現(xiàn)今的局部戰(zhàn)爭(zhēng)，人們不斷加深對(duì)紅外探測(cè)器重要性的認(rèn)識(shí)。至今，應(yīng)用仍占整個(gè)紅外敏感器市場(chǎng)的75%。更高的性能指標(biāo)和降低成本對(duì)紅外技術(shù)提出了愈來(lái)愈高的要求。由于民用需求的急劇增長(zhǎng)，應(yīng)用的比例正在穩(wěn)步減小。據(jù)美國(guó)市場(chǎng)調(diào)查，到2002年應(yīng)用將下降到50%以下。今后焦平面紅外圖像系統(tǒng)及傳感器的需求量會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)，年增長(zhǎng)率將達(dá)29%。應(yīng)用中的商用成品有望每年增加15%。估計(jì)增長(zhǎng)*快的將是非制冷焦平面系統(tǒng)，年增長(zhǎng)率將超過(guò)60%。2002年美國(guó)紅外技術(shù)市場(chǎng)將達(dá)到12億美元。據(jù)中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)預(yù)測(cè)，今后 5年，我國(guó)熱像設(shè)備總數(shù)在4萬(wàn)臺(tái)左右，而年自產(chǎn)不足500臺(tái)。所有這些，勢(shì)必使21世紀(jì)的紅外科學(xué)技術(shù)加速開(kāi)拓前進(jìn)，首先是紅外探測(cè)器技術(shù)的突飛猛進(jìn)。